光纖耦合帶來(lái)高靈敏度

牛津儀器 CMOS EBSD 采用光纖耦合光學(xué)系統(tǒng),進(jìn)光不受鏡頭光圈限制。相比傳統(tǒng)的透鏡耦合,大大地提高了探測(cè)器的靈敏度,甚至可以用于鈣鈦礦有機(jī)物等鈁孚讖薊晝養(yǎng)唄癜摯э?夫靡流敏感材料的 EBSD 采集。

高溫?zé)晒馄?/span> (可選)

新一代高溫?zé)晒馄?/span>,采用紅外光學(xué)濾鏡技術(shù),能有效過(guò)濾高溫引起的紅外背底,保留花樣信號(hào)。

全能型 EBSD 探測(cè)器

SymmetryS3 電子背散射衍射探測(cè)器是全能型 Symmetry產(chǎn)品系列中的第三代探測(cè)器。S3 將高速分析(>5700 花樣/秒)與各種優(yōu)良的功能相結(jié)合,確保更加優(yōu)異的性能,滿(mǎn)足各領(lǐng)域科研的需要。

SymmetryS3 是一款旨在從各種類(lèi)型的樣品中，提供出色結(jié)果的 EBSD探測(cè)器。無(wú)透鏡光纖耦合相機(jī)系統(tǒng)，可在所有分析條件下，實(shí)現(xiàn)出色的靈敏度，從東流敏感材料的分析到常規(guī)樣品的高速表征。高像素分辨率與有保證的亞像素花樣失真水平相結(jié)合，使S3 成為應(yīng)變深入分析和高精度EBSD 工作的理想選擇。軟件控制的探測(cè)器傾轉(zhuǎn)功能,確保了對(duì)每種尺寸和形狀的樣品,都能在優(yōu)化的幾何位置進(jìn)行采集。

6種相機(jī)模式,適合日常及高難度分析高達(dá) 1244x1024 像素的花樣圖像分辨率采集速度 >5700 花樣/秒,同時(shí)分辨率為156x128 像素

Symmetry S3 的熒光屏升降控制。無(wú)論樣品大小、高低,探測(cè)器前端總能保持在最佳采集位置

高分辨型 EBSD 探測(cè)器

C-Nano+ 是一款出色的 CMOS EBSD 探測(cè)器，可提供百萬(wàn)像素分辨率的 EBSD 花樣，并保證超過(guò) 600 花樣/秒的分析速度。

這一點(diǎn)，再加上其光纖光學(xué)系統(tǒng)帶來(lái)的高靈敏度，使 C-Nano+ 成為對(duì)具有挑戰(zhàn)性的材料(包括陶瓷和礦物)進(jìn)行高精度分析的理想選擇。

百萬(wàn)像素 1244x1024分辨率花樣,同時(shí)采集速度達(dá)到 80 花樣/秒:非常適合 HR-EBSD研究以及詳細(xì)的應(yīng)變分析和相鑒定最大分析速度達(dá)到 600 花樣/秒,分辨率為312x256 像素,僅用 3 nA 束流(在鋼、Ni上

新一代 EBSD 數(shù)據(jù)處理軟件

標(biāo)準(zhǔn)配置:滿(mǎn)足您常規(guī) EBSD 數(shù)據(jù)分析的需求

大多數(shù) EBSD 數(shù)據(jù)分析,需要的是常規(guī)的數(shù)據(jù)處理,如繪制各種面分布圖、統(tǒng)計(jì)晶粒尺寸、分析織構(gòu)、查看晶界、研究應(yīng)變等。AZtecCrystal 標(biāo)準(zhǔn)配置提供了強(qiáng)大、便捷的工具,滿(mǎn)足您多樣的數(shù)據(jù)處理需求。AZtecCrystal的處理速度大大提高，非常適合處理高速 CMOS EBSD 探測(cè)器采集的大數(shù)據(jù)。無(wú)論新手還是專(zhuān)家,您都能得心應(yīng)手!

l超過(guò) 30 種面分布圖,可無(wú)限組合定制即時(shí)測(cè)量晶粒尺寸,滿(mǎn)足 ISO 和 ASTM 標(biāo)準(zhǔn),提供超過(guò) 30 種晶粒參數(shù)

l完整的織構(gòu)分析,包括極圖、反極圖和取向分布函數(shù)

l全面分析晶界，包含取向差分析和晶界長(zhǎng)度詳細(xì)統(tǒng)計(jì)表

l與電子圖像關(guān)聯(lián)分析,校正面分布圖畸變